Научный коллектив ННГУ имени Лобачевского опубликовал в Applied Physics Letters результаты нового исследования. Сведения, полученные нижегородскими учёными, важны для создания приборов силовой электроники нового поколения.
Русские учёные из ННГУ открыли новый эффект в полупроводниках. В университете пояснили, что полупроводниковые материалы - неотложная часть аналоговой и цифровой электроники, их используют в промышленности.
Из-за растущих мощностей растёт спрос на сверхширокозонные полупроводники. Исследователи отмечают, что более интересным с практической точки зрения служит оксид галлия β-Ga2O3, у которого ширина так называемой "запрещенной зоны" около 5 эВ.
Нижегородские учёные научились при внедрении в β-Ga2O3 примесей (атомов кремния) при высокой температуре добиваться необычайно высокой концентрации электронов. Отмечается что прежде такого эффекта никто в мире на наблюдал.
Работа была поддержана государственным грантом. Исследования будут продолжены.
Свежие комментарии