Китай инвестировал $25 млрд в производство микросхем и технологии

Китай ускоряет развитие полупроводниковой отрасли, вложив $25 млрд в производство микросхем. Страна стремится к технологической независимости, активно развивая сегмент DRAM и технологии SiC, несмотря на внешние вызовы и зависимость от западных технологий.

Интенсивное развитие полупроводниковой отрасли в Китае приобретает все большую значимость, став одной из стратегических задач государства.

В течение первых шести месяцев 2024 года Китай установил рекорд, потратив $25 миллиардов на приобретение оборудования для изготовления микросхем, опередив по расходам совокупные затраты Тайваня, Южной Кореи и США. Эти вложения подчёркивают желание КНР ускорить достижения технологической автономии, особенности в условиях усиления американских санкций.

На сегодняшний день китайские предприятия способны самостоятельно производить микросхемы на практически всех стадиях технологической цепочки, за исключением литографического оборудования, в котором остаётся зависимость от западных технологий. Однако китайские производители предпринимают активные шаги в области памяти DRAM, уделяя внимание выпуску DDR4 и LPDDR4. Растущее потребление памяти, подогреваемое развитием искусственного интеллекта, открывает уникальные возможности для конкуренции китайских компаний с мировыми лидерами, уже работающими над инновациями следующего поколения, такими как DDR5 и HBM. Для Китая переход к этим новым стандартам будет ключевой задачей в ближайшей перспективе.

Китай сделал значительные успехи в производстве современных микросхем из карбида кремния (SiC), который становится основой новых технологических решений.

В последние два года в этот сектор вошли более 100 китайских компаний, и 50 новых проектов, по данным DRAMeXchange, планируется завершить в 2024 году. Две производственные линии для обработки 200-мм SiC-пластин уже введены в эксплуатацию: первая, построенная компанией UNT, находится в Шаосине, а вторая принадлежит компании Silan Microelectronics. Последний проект, запущенный 18 июня, привлёк инвестиции на сумму 12 миллиардов юаней и стал первой в стране линией для производства чипов из 200-мм SiC-пластин для нужд силовой электроники.

Китайские заводы продолжают удерживать ведущие позиции в выпуске чипов по зрелым техпроцессам. Согласно данным TrendForce, к 2025 году их доля в общих мощностях десяти крупнейших мировых производителей достигнет более 25%. Большая часть прироста будет ассоциироваться с узлами 28/22 нм, а средний рост по сегменту составит 6%. Тем не менее, рост конкуренции может спровоцировать снижение цен. Вдобавок, китайские фирмы совершенствуют специализированные технологии, такие как HV-платформы, где старт массового производства 28-нм решений был запланирован на 2024 год.

Развитие передовых технологий упаковки, включая 2.5D, 3D, WL-CSP, CoWoS и SiP, открывает новые возможности для китайской индустрии микросхем. Компании JCET, Tongfu Microelectronics и HT-Tech активно вкладываются в эти направления. Особое внимание уделяется технологиям FOPLP, в которых HT-Tech, ECHINT, MIIC и SiPTORY демонстрируют заметный прогресс. Китайские производители также фокусируются на внедрении чиплетной и 2.5D упаковки, которая отвечает на растущий спрос на высокопроизводительные чипы для искусственного интеллекта.

Китайская индустрия искусственного интеллекта также развивается с впечатляющей динамикой. На 2022 год, 61,1% всех зарегистрированных патентов в этой области приходилось на Китай. Среди крупнейших участников рынка выделяются компании Infinigence AI, Alibaba Cloud, Baidu, Vastai Technologies и BIRENTECH. Однако сфера сталкивается с серьёзными вызовами: дефицит вычислительных мощностей, задержки в разработках высокопроизводительных графических процессоров (GPU) и трудности в создании передовых ИИ-моделей остаются ключевыми барьерами к технологическому лидерству. Успешное преодоление этих вызовов не только укрепит позиции Китая на мировой арене, но и задаст новые направления для развития полупроводникового сектора глобально.